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| 分类:单机 / 冒险解谜 | 大小:3.4MB | 授权:免费游戏 |
| 语言:中文 | 更新:2025-11-16 22:02 | 等级: |
| 平台:Android | 厂商: 罗罗日记:High-NA EUV到来 光刻精度进入0.5nm时代股份有限公司 | 官网:暂无 |
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罗罗日记:High-NA EUV到来 光刻精度进入0.5nm时代2024更新赫连斌惊疑不定的看着东皇,大明星星府治下星
> 厂商新闻《罗罗日记:High-NA EUV到来 光刻精度进入0.5nm时代》特朗普继续对日本施压:日本需要开放市场 时间:2025-11-17 02:07
今天你用的手机芯片,可能已经使用了 EUV 光刻技术,关键制程尺寸已突破到 3nm。
但这还远远不够。在人工智能、高性能计算、AR/VR 等场景下,芯片正在逼近物理极限。传统EUV光刻在继续缩小线宽时,开始遇到分辨率瓶颈。这扇瓶颈之门,正是由下一代技术打开的:High-NA EUV(高数值孔径极紫外光刻)。它不改变光源波长,却能让成像精度从原本的 13nm 拓展到 8nm、5nm,甚至 2nm。这场技术跨越,能否带我们真正进入 0.5nm 制造时代?今天这篇,就来揭开 High-NA EUV 的秘密。
01
为什么原来的 EUV 分辨率不够了?
我们先来复习一个公式:光刻分辨率公式(Rayleigh 定律):Resolution=k1*λ/NA。其中:Resolution:分辨率。λ:光源波长(传统EUV固定为13.5nm)。NA:数值孔径,描述系统的聚光能力。k1:工艺因子,受工艺优化、计算光刻、浸没等影响,理论最小约为0.25。在传统 EUV 系统中:NA≈0.33。所以即使λ=13.5nm,分辨率仍被限制在13~16nm左右。但芯片关键尺寸(如金属线宽)早已小于这个级别,必须借助多次曝光(Double/Quad Patterning)、偏移补偿、侵蚀修补等复杂工艺。这严重拖慢了生产效率,也增加了缺陷率。02
High-NA 是什么?改了什么?
High-NA 的核心提升:传统 EUV数值孔径 NA=0.33 High-NA EUV,NA=0.55。分辨率提升比,传统1×,High NA~1.7x。传统EUV最小线宽~13nm,High-NA EUV~8nm(理论可至5nm)。本质改变:光学系统更“聚光”了。数值孔径 NA 的定义:NA = n*sin(θ)。n:光传播介质折射率(在 EUV 中固定为真空,所以 n = 1)。θ:入射角最大值。提高 NA 的唯一办法,就是把光线聚得更“斜”,即增大系统接受光线的角度。这对镜面设计、光学路径、掩模结构都会产生巨大变革。03
High-NA 带来了哪些技术挑战?
1.镜头体积变大 → 光路变复杂NA=0.55意味着光线斜率大,投影镜组必须大得多。系统光路必须重新设计,采用非对称光学布局(环形场)。2.掩模设计大改 → Image field 变窄投影视场缩小,不能一次曝光整片图案。必须使用 “拼图式曝光”(Stitching)。掩模尺寸变为6×9mm非对称区域,带来图案一致性挑战。3.成像误差更敏感更高NA → 景深更浅 → 对焦精度要求提升。Overlay(图层叠加)误差要求压到 2nm 以下。晶圆表面凹凸、热涨冷缩、Stage精度,统统面临新挑战。4.掩模瑕疵放大入射角增大,掩模缺陷“更显眼”。必须搭配更强的Mask Defect Inspection和补偿机制。5.光源亮度必须翻倍高NA系统能收集光线的角度更宽 → 但通光口变小,光强下降。所以需要 EUV 光源从 250W 提升到 ≥500W。04
ASML 的 High-NA EUV 机器长什么样?
ASML 最新发布的 High-NA 系统名为:EXE:5000系列特点包括:镜组总重量 > 6吨。采用 Zeiss 全新光学系统,透镜数量更多、形状异型。支持 0.55 NA,高精度拼接曝光。适配 500W+ 光源(由 Trumpf + Cymer 提供)。整机高度 > 4米,占地面积超过 2 个集装箱!05
High-NA 能否直接刻出 <2nm 芯片?
理论上可以刻到 5nm 甚至 2nm 特征线宽。分辨率13.5/20.55 = 12.3nm,配合工艺因子 k1 < 0.3,可进一步缩小。关键在于计算光刻(OPC)、掩模校正、抗蚀剂性能等配合。主要目标不是“更细”,而是“更简单”。现在的 3nm 芯片往往需要 3~4 次曝光才能完成。而 High-NA 的目标是:一次就能完成主要图层!这意味着:芯片工艺更简单、曝光良率提升、光刻周期缩短、芯片成本(理论上)下降。06
High-NA 的意义远超“线宽”
它是对整个光刻机架构的重构:精度上升:进入 <1nm 对准误差时代。控制系统智能化:靠 AI 调参的系统稳定性。 工艺再简化:减少多重曝光 → 降本增良率。缺陷更敏感:催生更高精度掩模检测与修复产业链。光源更强:加速 EUV 光源技术进一步演化。07
量产时间表:何时进入你手机?
2023,ASML 完成 EXE:5000 样机组装。2024,客户测试(Intel 为首个客户)。2025,小批量试产(Intel 18A节点)。2026,商业规模量产可能性开启(3nm 以下制程)。2027+ 高端手机/AI芯片逐步普及。首批使用 High-NA 的厂商几乎都是追求极致性能的玩家,如:Intel:强调领先节点制造,押注 High-NA 重夺技术王座。ASML:作为唯一供应商,目标在 2030 年前形成规模化出货。台积电 / Samsung:虽更谨慎,但也有同步评估与部署计划。08
通往0.5nm的大门正在开启
High-NA EUV 是继 EUV 本身之后,最具革命性的光刻跳跃。它代表了:技术从“压榨极限”转向“突破瓶颈”。工艺从“补偿误差”走向“系统优化”。芯片制造从“手工拼接”过渡到“光学极限操控”。每一次曝光,都精确到原子的排列;每一片晶圆,都是光学与控制系统交响的结果。我们离 0.5nm 时代还有距离,但 High-NA 已经是通往那个未来的大门。一、修复bug,修改自动播放;优化产品用户体验。
二、 1.修复已知Bug。2.新服务。
三、修复已知bug;优化用户体验
四、1,交互全面优化,用户操作更加便捷高效;2,主题色更新,界面风格更加协调;3,增加卡片类个人数据
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六、1.bug修复,提升用户体验;2.优化加载,体验更流程;3.提升安卓系统兼容性
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